[发明专利]一种高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料及其制备方法有效
申请号: | 201810051927.6 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108257702B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 邱永福;常学义;程志毓;范洪波 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | G21F1/02 | 分类号: | G21F1/02;G21F1/06 |
代理公司: | 广东恩典律师事务所 44549 | 代理人: | 张绍波 |
地址: | 523808 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料及其制备方法,其中制备方法为:将1~4份二氧化硅、1~5份三氧化二铝、3~8份磷酸钾、1~4份三氧化二硼以及0.2~1.5份氧化钙进行混合后研磨至粉末,与80~90份碳化硼粉末混合均匀,压制成型,在500~550℃空气气氛中低温烧结,得到硼含量为63~71 wt%的中子屏蔽材料。由于采用上述比例混合的二氧化硅、三氧化二铝、磷酸钾、三氧化二硼和氧化钙作为烧结助剂加入到碳化硼中进行均匀混合,只需要在500~550℃的温度条件以及在空气气氛中进行低温烧结,简化了现有的制备工艺,而且上述烧结助剂在该工艺条件下能够包裹碳化硼基体形成非常致密的防辐射层,中子屏蔽材料高硼无氢且具有高强度性能。 | ||
搜索关键词: | 中子屏蔽材料 高硼 无氢 制备 三氧化二铝 三氧化二硼 二氧化硅 空气气氛 烧结助剂 磷酸钾 氧化钙 致密 高强度性能 碳化硼粉末 碳化硼基体 中低温烧结 低温烧结 防辐射层 工艺条件 温度条件 制备工艺 研磨 碳化硼 | ||
【主权项】:
1.一种高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料,其特征在于,所述中子屏蔽材料包括以下组分:1~4 份二氧化硅;1~5 份三氧化二铝;3~8 份磷酸钾;1~4 份三氧化二硼;0.2~1.5份氧化钙,以及80~90份碳化硼;所述中子屏蔽材料中的硼含量为63~71 wt%。
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