[发明专利]一种长波长LED外延垒晶片、芯片及制备方法

摘要

本发明公开了一种长波长LED外延垒晶片的制备方法，制备步骤包括：把外延垒晶衬底放入外延生长反应室内；在外延垒晶衬底上生长CaN外延垒晶层，CaN外延垒晶层厚度为h，控制厚度6µm≥h≥0.35µm，在外延垒晶衬底表面生长GaN缓冲层，在GaN缓冲层上生长n型CaN，在n型CaN上生长量子阱，量子阱上生长p型CaN。本发明制备的氮化镓基长波长 LED外延垒晶片制备成的LED电性性能与蓝绿CaN基 LED电性性能一致。

主权项

1.一种长波长 LED外延垒晶片制备方法，其特征在于，长波长 LED外延垒晶片为长波长GaN LED外延垒晶片，制备步骤包括：A把外延垒晶衬底放入外延生长反应室内；B在外延垒晶衬底上生长CaN外延垒晶层，CaN外延垒晶层厚度为h，控制厚度6µm≥h≥0.35µm：a在外延垒晶衬底表面生长GaN缓冲层；b在GaN缓冲层上生长n型CaN；c在n型CaN上生长AlxInyCa(1‑x‑y)N量子阱：含C的有机生长源通入反应室内在Cl2或HCl的催化下参与量子阱生长，生长温度控制在700℃‑990℃之间，其中阱与磊生长温差w控制在100℃>w>0℃，控制量子阱生长速率在0.2A/sec——1.2A/sec之间，量子阱≥7对，量子阱中C的浓度范围为10¹⁶——10²⁰cm^‑3，量子阱中In的含量>3%；d在AlxInyCa(1‑x‑y)N量子阱上生长p型CaN。