[发明专利]一种可调电压的MRAM读出电路有效
| 申请号： | 201810053311.2 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108288481B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调电压的MRAM读出电路，包括电流镜、参考单元组、控制限流单元和运算放大器OP Amp；其中，通过所述运算放大器OP Amp的反馈作用，控制所述控制限流单元的钳位电压V_clamp，使得加在所述参考单元组的参考单元上的电压稳定在V_read左右。此外，还可以通过可配置的参考电压产生器对所述运算放大器OP Amp的输入参考电压V_read进行调整。本发明公开的读出电路使用反馈电路动态调整钳位电压，使得同样的MRAM模块，可以适应不同的嵌入式环境，在不同的环境中达到最佳的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调 电压 mram 读出 电路 | ||
【主权项】：
1.一种可调电压的MRAM读出电路，包括电流镜、参考单元组、控制限流单元和运算放大器OP Amp，其特征在于，所述电流镜由等同的PMOS管组成，其中，所述每一路PMOS管的电流均为I_read；所述参考单元组包括一组并联的的参考单元，部分置于P状态，另外的置于AP状态；所述参考单元组一端接地另外一端连接所述控制限流单元，连接点为A；所述控制限流单元由同样的钳位电压V_clamp控制的一组等同的NMOS管组成，所述钳位电压V_clamp用于控制所述NMOS管的电阻；所述运算放大器OP Amp的一个输入为参考电压V_read，另一个输入为所述A点的电位V_A，所述运算放大器OP Amp的输出连接到所述钳位电压V_clamp，通过反馈效应，控制加在所述参考单元上的电压稳定在V_read左右。
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