[发明专利]一种高速的MRAM读出电路

摘要

本发明公开了一种高速的MRAM读出电路，包括一排多个等同的MOS管、参考单元组合、比较器和两个运算放大器OP Amp；其中，每一个存储单元与多个等同的MOS管中的一个MOS管Pa串联；参考单元组合由N个参考单元并联；N个参考单元中的每一个与N个等同的MOS管中的一个MOS管Pbi管串联；两个运算放大器OP Amp的一个输入分别与MOS管Pa以及N个MOS管Pbi连接，另外一个输入为读电压V_read；比较器通过比较两个运算放大器OP Amp输出的栅极电压，输出结果。本发明公开的读出电路的功耗读出电路不仅速度快，而且能够消除读出不稳定的风险。

主权项

1.一种高速的MRAM读出电路，包括一排多个等同的MOS管、参考单元组合、比较器和两个运算放大器OP Amp，其特征在于，每一个存储单元与所述多个等同的MOS管中的一个MOS管Pa串联；串联连接点连接到一个所述运算放大器OP Amp的一个输入，所述运算放大器OP Amp的另一个输入为读电压V_read，所述运算放大器OP Amp的输出与所述MOS管Pa的栅极连接，通过反馈效应，调整所述MOS管Pa的栅极电压；所述参考单元组合由N个参考单元并联；所述一排多个等同的MOS管中的N个等同的MOS管Pbi(i＝1,2,…,N)并联；所述N个参考单元组合与所述N个等同的MOS管组合串联；串联连接点连接到另一个所述运算放大器OP Amp的一个输入，所述运算放大器OP Amp的另一输入为读电压V_read，所述运算放大器OP Amp的输出与所述N个MOS管Pbi(i＝1,2,…,N)的栅极连接，通过反馈效应，调整所述MOS管Pbi(i＝1,2,…,N)的栅极电压；所述多个等同的MOS管和所述参考单元两端的电压差为V_read_supply；所述比较器通过比较所述两个运算放大器OP Amp输出的栅极电压，输出结果。