[发明专利]衬底结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810054092.X | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108336093B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 饶潞;黄金雷;梁超;都秉龙;刘如胜 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王乐 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种衬底结构及其制作方法。衬底结构的制作方法包括以下步骤：提供支撑基底；在支撑基底上形成曝光后的感光材料层，曝光后的感光材料层具有第一结合力区和第二结合力区，其中，第一结合力区与支撑基底的结合力小于第二结合力区与支撑基底的结合力；以及在曝光后的感光材料层上形成柔性基底，将第一结合力区上的感光材料与柔性基底去除，得到图案化的感光材料层以及图案化的柔性基底层，以得到衬底结构。上述衬底结构的制作方法中，可以通过曝光得到任意图案的第一结合力区和第二结合力区，由于第一结合力区与支撑基底的结合力较小，从而容易将第一结合力区上的感光材料与柔性基底从支撑基底上去除，从而实现衬底结构的图案多样化。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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