[发明专利]一种使用参考电压的MRAM读出电路

摘要

本发明公开了一种使用参考电压的MRAM读出电路，包括参考电压产生器、参考电阻组合和比较器；其中，参考电压产生器用于对每一个MRAM芯片进行产线测试时设定参考电压；参考电阻组合由多个相同的参考电阻组成，每一个所述参考电阻的一端与一个存储单元x串联，比较器通过比较参考电压产生器输出B点和参考电阻与存储单元连接点Ax两点之间的电压差来决定存储单元x是在P状态还是AP状态。本发明公开的读出电路的功耗只是传统电路的20％左右，并且不需要再使用占很大芯片面积的参考单元，节省了成本。

主权项

1.一种使用参考电压的MRAM读出电路，包括参考电压产生器、参考电阻组合和比较器，其特征在于，所述参考电压产生器用于对每一个MRAM芯片进行产线测试时设定参考电压，输出参考电压，所述参考电压产生器的输出点设为B点；所述参考电阻组合由多个相同的参考电阻组成，每一个所述参考电阻的一端与一个存储单元x(x＝1、2、…)串联，串联连接点为Ax(x＝1、2、…)；所述存储单元x(x＝1、2、…)的另一端连接基准电压V_b，在进行读操作时，所述参考电阻的另一端在所述基准电压V_b的基础上增加一个电压V_read；所述比较器位于所述Ax和B两点之间，通过比较所述两点之间的电压差来决定所述存储单元x(x＝1、2、…)是在P状态还是AP状态。