[发明专利]硅基全介质型电控太赫兹波调控器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810054913.X | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108227243B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;代朋辉;杨青慧;文天龙;谭为;冯正;唐亚华;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基全介质型电控太赫兹波调控器件及其制备方法，包括双层圆柱形硅微米结构，高阻硅衬底、掺杂硅叉指电极、二氧化硅纳米氧化层以及二氧化钒薄膜，双层圆柱形硅微米结构位于高阻硅衬底的上侧，掺杂硅叉指电极、二氧化硅纳米氧化层、二氧化钒薄膜从上到下依次位于高阻硅衬底的下侧；本发明中选取半导体高阻硅材料作为主要介质材料，获取容易、成本低且半导体加工工艺成熟；这一器件具有很高的太赫兹波透射率以及极低的器件插损，同时具有大的工作带宽；通过在二氧化钒薄膜和掺杂硅叉指电极间引入氧化物绝缘层可有效抑制电流所产生的焦耳热，进而提高器件开关速度，可广泛应用于太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 太赫兹波 高阻 二氧化钒薄膜 叉指电极 掺杂硅 硅衬底 二氧化硅纳米 双层圆柱形 调控器件 微米结构 全介质 氧化层 电控 硅基 制备 半导体加工工艺 太赫兹波成像 氧化物绝缘层 从上到下 工作带宽 介质材料 器件开关 有效抑制 硅材料 焦耳热 透射率 插损 半导体 探测 引入 成熟 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硅基全介质型电控太赫兹波调控器件，包括高阻硅衬底(2)、掺杂硅叉指电极(3)、二氧化钒薄膜(5)，其特征在于：还包括双层圆柱形硅微米结构(1)、二氧化硅纳米氧化层(4)，其中双层圆柱形硅微米结构(1)位于高阻硅衬底(2)的上侧，掺杂硅叉指电极(3)、二氧化硅纳米氧化层(4)、二氧化钒薄膜(5)从上到下依次位于高阻硅衬底(2)的下侧，整个器件不含金属材料和金属结构；高阻硅衬底(2)上侧的双层圆柱形硅微米结构层起到太赫兹波增透作用，高阻硅衬底(2)下侧的二氧化钒薄膜(5)结构层则起到太赫兹波幅度调控作用。/n
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