[发明专利]一种栅极氧化层的制作方法在审
| 申请号： | 201810055159.1 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108257860A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张超然;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供一种栅极氧化层的制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一栅极氧化层；干法刻蚀去除所述第二区域部分第一栅极氧化层，使所述第二区域剩余的第一栅极氧化层厚度大于 |
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| 搜索关键词： | 栅极氧化层 衬底 第二区域 干法刻蚀 去除 干法刻蚀过程 器件阈值电压 中等离子体 第一区域 剩余栅极 湿法刻蚀 光刻胶 均匀性 氧化层 粘附性 良率 源区 制作 损伤 保证 | ||
【主权项】：
1.一种栅极氧化层的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一栅极氧化层；干法刻蚀去除所述第二区域部分第一栅极氧化层，使所述第二区域剩余的第一栅极氧化层厚度大于![]()
湿法刻蚀去除所述第二区域剩余的第一栅极氧化层；在所述衬底上形成第二栅极氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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