[发明专利]一种层状硒化镉-单胺杂化物纳米带的可控合成方法有效
| 申请号： | 201810056278.9 | 申请日： | 2018-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108192618B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 魏朔;郝秀芳;李静;崔晓艳 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;C01B19/00 |
| 代理公司： | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人： | 张洪年 |
| 地址： | 100875 北京市海淀区新街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种层状硒化镉‑单胺杂化物纳米带的可控合成方法，以氢氧化镉和硒粉为原料，分别以正丁胺、正己胺、正辛胺为溶剂进行溶剂热反应，通过调节反应温度与反应时间，可控合成出一系列[(CdSe) |
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| 搜索关键词： | 一种 层状 硒化镉 单胺杂化物 纳米 可控 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层状硒化镉‑单胺杂化物纳米带，其特征在于，其化学式为：[(CdSe)n·(L)]，其中L＝丁胺、己胺或辛胺，n＝1,2,4，即单层杂化物：一层[CdSe]与一层有机单胺交替排列、双层杂化物：每两层[CdSe]与一层有机单胺交替排列、四层杂化物：每四层[CdSe]与一层有机单胺交替排列；通过有机单胺的N与Cd配位，形成无机[CdSe]层与有机单胺分子交错堆叠的层状结构，表现出显著裂分的激子吸收峰以及尖锐的带边发光现象。
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