[发明专利]功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法有效
申请号: | 201810057638.7 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN107986810B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 陈科成;王疆瑛;张景基 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | C04B37/02 | 分类号: | C04B37/02 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 崔自京 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板,其特征在于,包括AlN衬底、Cu、Ti、Al膜和Cu箔,所述Cu、Ti、Al膜涂敷在AlN表面,所述Cu箔敷接于Cu、Ti、Al膜之上。本发明还公开了一种功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法。本发明通过配制不含玻璃相的Cu、Ti、Al浆料经丝网印刷厚膜法刷涂在AlN表面经气氛烧结获得铜钛铝膜,然后在低于铜熔点的温度附近敷接Cu箔。本发明工艺简单,成本低且获得的AlN陶瓷敷铜基板具有热导率高,结合强度大,表面电阻小等优点。 | ||
搜索关键词: | 功率 电子器件 aln 陶瓷 敷铜基板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板,其特征在于,包括AlN衬底、Cu、Ti、Al膜和Cu箔,所述Cu、Ti、Al膜涂敷在AlN表面,所述Cu箔敷接于Cu、Ti、Al膜之上。
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