[发明专利]一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810058240.5 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108389896B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 谢倩;刘明军;王政 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的双栅隧穿场效应晶体管中，第一沟道区氧化层覆盖沟道区上表面部分区域，第二沟道区氧化层覆盖沟道区下表面部分区域，第一漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第一沟道区氧化层覆盖的沟道区上表面和部分漏区上表面，第二漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第二沟道区氧化层覆盖的沟道区下表面和部分漏区下表面，且第一漏区氧化层的厚度大于第一沟道区氧化层，第二漏区氧化层的厚度大于第二沟道区氧化层。该双栅隧穿场效应晶体管在不影响器件的开态电流的前提下，有效地抑制了器件的双极性电流，保证器件具有较好的开关特性，可应用于大规模集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 抑制 极性 电流 双栅隧穿 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，包括源区(110)、沟道区(111)、漏区(112)、第一沟道区氧化层(113)、第二沟道区氧化层(115)、第一漏区氧化层(114)、第二漏区氧化层(116)、顶部栅电极(117)、底部栅电极(118)、源电极(119)和漏电极(120)，所述第一沟道区氧化层覆盖沟道区上表面部分区域，第二沟道区氧化层覆盖沟道区下表面部分区域，第一漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第一沟道区氧化层覆盖的沟道区上表面和部分漏区上表面，第二漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第二沟道区氧化层覆盖的沟道区下表面和部分漏区下表面，第一漏区氧化层(114)的厚度比第一沟道区氧化层(113)的厚度厚，第二漏区氧化层(116)的厚度比第二沟道区氧化层(115)的厚度厚。
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