[发明专利]半导体存储器件的检测电路及检测方法有效
申请号: | 201810060965.8 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN110070905B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/50 | 分类号: | G11C29/50 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 宋珊珊;王珺 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明教示一种半导体存储器件的检测电路及检测方法。检测电路包括:包括n个并联的上拉电阻的电阻提供模块,n个上拉电阻的结构相同,其中,n是大于等于2的正整数;参考电阻,参考电阻和电阻提供模块在半导体存储器件的阻抗端点串联,参考电阻一端接地,电阻提供模块一端连接电源;控制码产生单元,控制码产生单元的输出端与每个上拉电阻连接,控制码产生单元用于将产生的控制码输出至每个上拉电阻,以控制电阻提供模块的电阻值;参考电压提供单元;第一比较器,第一比较器的同相输入端连接阻抗端点,第一比较器的反相输入端连接参考电压提供单元的第一输出端,以比较阻抗端点处的第一电压与参考电压。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 检测 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件的检测电路,其特征在于,包括:第一电阻提供模块,包括n个并联的上拉电阻,n个所述上拉电阻的结构相同,其中,n是大于等于2的正整数;参考电阻,所述参考电阻和所述第一电阻提供模块在所述半导体存储器件的阻抗端点串联,所述参考电阻一端接地,所述第一电阻提供模块一端连接电源;控制码产生单元,所述控制码产生单元的输出端与每个所述上拉电阻连接,所述控制码产生单元用于将产生的控制码输出至每个所述上拉电阻,以控制所述第一电阻提供模块的电阻值;参考电压提供单元,用于提供参考电压;以及第一比较器,所述第一比较器的同相输入端连接所述阻抗端点,所述第一比较器的反相输入端连接所述参考电压提供单元的第一输出端,以比较所述阻抗端点处的第一电压与所述参考电压。
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