[发明专利]半导体存储器件的检测电路及检测方法有效

专利信息
申请号: 201810060965.8 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN110070905B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 宋珊珊;王珺
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明教示一种半导体存储器件的检测电路及检测方法。检测电路包括:包括n个并联的上拉电阻的电阻提供模块,n个上拉电阻的结构相同,其中,n是大于等于2的正整数;参考电阻,参考电阻和电阻提供模块在半导体存储器件的阻抗端点串联,参考电阻一端接地,电阻提供模块一端连接电源;控制码产生单元,控制码产生单元的输出端与每个上拉电阻连接,控制码产生单元用于将产生的控制码输出至每个上拉电阻,以控制电阻提供模块的电阻值;参考电压提供单元;第一比较器,第一比较器的同相输入端连接阻抗端点,第一比较器的反相输入端连接参考电压提供单元的第一输出端,以比较阻抗端点处的第一电压与参考电压。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 检测 电路 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器件的检测电路,其特征在于,包括:第一电阻提供模块,包括n个并联的上拉电阻,n个所述上拉电阻的结构相同,其中,n是大于等于2的正整数;参考电阻,所述参考电阻和所述第一电阻提供模块在所述半导体存储器件的阻抗端点串联,所述参考电阻一端接地,所述第一电阻提供模块一端连接电源;控制码产生单元,所述控制码产生单元的输出端与每个所述上拉电阻连接,所述控制码产生单元用于将产生的控制码输出至每个所述上拉电阻,以控制所述第一电阻提供模块的电阻值;参考电压提供单元,用于提供参考电压;以及第一比较器,所述第一比较器的同相输入端连接所述阻抗端点,所述第一比较器的反相输入端连接所述参考电压提供单元的第一输出端,以比较所述阻抗端点处的第一电压与所述参考电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810060965.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top