[发明专利]一种改善外延片污染印记的方法在审
| 申请号： | 201810061254.2 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110071064A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王华杰;曹共柏;林志鑫 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善外延片污染印记的方法，所述方法包括：提供外延机台，所述外延机台包括基座、用于支撑所述基座的支撑架以及位于所述基座顶部的腔室；在所述基座上形成涂层；提供半导体衬底，将所述半导体衬底放入所述腔室中，在所述半导体衬底表面形成外延层，所述外延层和所述半导体衬底构成外延片，其中在形成所述外延层的过程中，所述涂层可以阻挡和/或吸附所述支撑架的污染粒子。采用本发明的方法，在半导体衬底表面形成外延层之前，在基座上形成涂层，所述涂层可以阻挡和/或吸附支撑架的污染粒子，从而减小所述支撑架区域的污染粒子浓度，进而改善所述外延片的污染印记。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 外延片 支撑架 污染粒子 衬底 半导体 半导体衬底表面 机台 印记 腔室 吸附 污染 阻挡 基座顶部 放入 减小 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种改善外延片污染印记的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供外延机台，所述外延机台包括基座、用于支撑所述基座的支撑架以及位于所述基座顶部的腔室；在所述基座上形成涂层；提供半导体衬底，将所述半导体衬底放入所述腔室中，在所述半导体衬底表面形成外延层，所述外延层和所述半导体衬底构成外延片，其中在形成所述外延层的过程中，所述涂层可以阻挡和/或吸附所述支撑架的污染粒子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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