[发明专利]一种中空多孔立方体纳米硫化镍及其制备方法有效
| 申请号： | 201810062033.7 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108455687B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘红英;徐含笑;戴大响;温佳俊;裘宇斌 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C01G53/11 | 分类号： | C01G53/11 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 黄前泽 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种中空多孔立方体纳米硫化镍及其制备方法。本发明材料是空心立方体结构，表面粗糙多孔，由颗粒堆积而成。该方法以PBA为前驱体制备出了具有中空多孔立方体结构的NiS。该方法简单易操作，反应周期短，对环境友好。合成的硫化镍材料粒径均匀，形貌统一，性能稳定可靠。而且由于NiS的中空多孔结构使得过氧化氢在NiS纳米颗粒间自由扩散以及巨大的比表面积有助于过氧化氢更好的附着在NiS表面进行电催化氧化反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 多孔 立方体 纳米 硫化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中空多孔立方体纳米硫化镍，其特征在于空心立方体结构，表面粗糙多孔，由颗粒堆积而成。
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