[发明专利]半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块有效
申请号: | 201810063420.2 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108377153B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 钟永卫;杨国敏;刘轶;郑立荣 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04;H01Q1/22 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于微波工程技术领域,具体为一种半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块。包括介质板,其上表面有依次连接的输入传输线单元、半导体功率放大器单元、第二输出传输线单元、阻抗过渡单元和第一输出传输线单元,同半导体功率放大器单元连接直流供电单元,以及第一层地;其中间各夹层的结合面依次设有中间层地组和末层层地;其底面设有微带天线;第一层地和中间层地组连接,第一输出传输线单元和微带天线连接。本发明,缩短传输路径,优化设计传输线及其连接,显著降低了结构尺寸和路径损耗,并且体积紧凑。 | ||
搜索关键词: | 半导体 功率放大器 天线 一体化 多层 发射 模块 | ||
【主权项】:
1.一种半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块,其特征在于,包括一个起支撑作用的多层的介质板(4)和一个输入端口;所述介质板(4)的顶面上设有输入传输线单元(1)、第一层地(3)、第一输出传输线单元(6)、阻抗过渡单元(7)、第二输出传输线单元(8)、半导体功率放大器单元(9)和直流供电单元(12);所述输入传输线单元(1)、半导体功率放大器单元(9)、第二输出传输线单元(8)、阻抗过渡单元(7)和第一输出传输线单元(6)依次连接,所述直流供电单元(12)同半导体功率放大器单元(9)连接;所述介质板(4)中间各夹层的结合面从上而下依次设有中间层地组(10)和末层层地(11);所述中间层地组(10)包含有若干个层地,所述末层层地(11)设置于介质板(4)中间所有夹层的最后一层;所述介质板(4)的底面设有微带天线(13);所述介质板(4)上还设有若干个贯穿第一层地(3)和中间层地组(10)的过孔(2),第一层地(3)和中间层地组(10)的各层地通过过孔(2)连接起来,为电路电流提供回流路径;所述介质板(4)上还设有一个贯穿整介质板(4)的通孔(5),第一输出传输线单元(6)和微带天线(13)通过通孔(5)连接,且不同其他各层地层连接。
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