[发明专利]基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管有效
| 申请号： | 201810064170.4 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346740B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张洪涛;张泽森 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;H01L43/10 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 潘杰;刘琳 |
| 地址： | 430068 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管，两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源V |
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| 搜索关键词： | 基于 激励 电子 自旋 电磁 晶体管 量子 干涉 | ||
【主权项】：
1.一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管，所述两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源Vg，共接源极和漏极，一个自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与第一源漏极电压Vds1连接，另一个自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与第二源漏极电压Vds2连接，组成一对称的环状电路，所述环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压Vp连接，另一端为输出端，在栅极电压Vg超过阈值时，输出漏电流随输入的漏电压Vp呈现谐振变化，形成一个周期的半周期顺时针和另半周期逆时针循环环路电流，在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。
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