[发明专利]一种可调太赫兹超材料吸收器

摘要

本发明公开了一种可调太赫兹超材料吸收器。它包括基底层、下电介质层、液晶材料层、上电介质层和金属圆盘谐振器阵列层；基底层为二硫化钼膜层，二硫化钼膜层的上层为下电介质层，下电介质层上层为液晶材料层，液晶材料层上层为上电介质层，上电介质层的上层为金属圆盘谐振器阵列层；金属谐振器阵列层由3×3个金属圆盘和椭圆盘组成的互补单元结构排列组成，在每个互补单元结构结构，圆盘位于中心，并且被四个椭圆盘围绕；太赫兹信号从吸收器上方垂直输入；通过给上下两个电介质层施加电压来改变液晶的折射率，从而使吸收器的吸收峰发生偏移，实现可调功能。本发明有结构简单紧凑、吸收性能好，太赫兹波吸收原理新颖，尺寸小，易加工等优点。

主权项

1.一种可调太赫兹超材料吸收器，其特征在于它包括基底层(1)、下电介质层(2)、液晶材料层(3)、上电介质层(4)和金属圆盘谐振器阵列层(5)；基底层(1)为二硫化钼膜层，二硫化钼膜层的上层为下电介质层(2)，下电介质层(2)上层为液晶材料层(3)，液晶材料层(3)上层为上电介质层(4)，上电介质层(4)的上层为金属圆盘谐振器阵列层(5)；金属圆盘谐振器阵列层(5)由3×3个互补单元结构排列组成，每个互补单元结构均由金属圆盘和椭圆盘组成的，在每个互补单元结构中，圆盘位于中心，并且被四个椭圆盘围绕，同一个互补单元结构中相邻两个椭圆盘的长轴垂直；相邻两个互补单元结构之间存在一个共用的椭圆盘。