[发明专利]一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器有效
申请号: | 201810064247.8 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108281737B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 李九生;汪锴宏 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01P1/18 | 分类号: | H01P1/18;H01Q3/30 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 傅朝栋;张法高 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器。它包括硅基底层、3层无裂环谐振结构、4层BCB材料介质,第一BCB材料介质层附在硅基底层上方,第一BCB材料介质层上方依次为第一无裂环谐振结构层、第二BCB材料介质层、第二无裂环谐振结构层、第三BCB材料介质层、第三无裂环谐振结构层和第四BCB材料介质层;每层无裂环谐振结构由两层BCB材料夹持形成三明治夹层结构,每层无裂环谐振结构是由一层铝薄膜挖去四个呈2×2阵列分布的缺角正方形而形成的,四个缺角正方形均贯通该层铝薄且缺角一侧均朝向该层铝膜中心。本发明实现了太赫兹波的移相,具有结构简单,损耗小,设计原理简单等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 材料 透射 赫兹 移相器 | ||
【主权项】:
1.一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器,其特征在于包括硅基底层(1)、3层无裂环谐振结构、4层BCB材料介质,第一BCB材料介质层(2)附在硅基底层(1)上方,第一BCB材料介质层(2)上方依次为第一无裂环谐振结构层(3)、第二BCB材料介质层(4)、第二无裂环谐振结构层(5)、第三BCB材料介质层(6)、第三无裂环谐振结构层(7)和第四BCB材料介质层(8);每层无裂环谐振结构由两层BCB材料夹持形成三明治夹层结构,每层无裂环谐振结构是由一层铝薄膜挖去四个呈2×2阵列分布的缺角正方形(9)而形成的,四个缺角正方形(9)均贯通该层铝薄且缺角一侧均朝向该层铝膜中心。
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