[发明专利]一种集成电路封装后处理的去胶方法在审
| 申请号： | 201810064416.8 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110071054A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王溯;于仙仙;马伟 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;袁红 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了集成电路封装后处理的去胶方法。一种集成电路封装后处理的去胶方法，其包括：在化学去胶过程中，增加如下操作：惰性气体鼓泡、溢流和兆声中的一种或多种。所述的去胶方法可延长去胶剂的寿命(最长可达4个月以上)，配合常规去胶剂，可单独去除tape胶或溢料，或者同时去除tape胶和溢料，并减少后续电镀工艺的毛刺的产生；对塑封体和基材无损伤；可明显缩短去胶时间。 | ||
| 搜索关键词： | 去胶 集成电路封装 后处理 去除 溢料 毛刺 电镀工艺 惰性气体 基材无 塑封体 鼓泡 胶和 溢流 损伤 配合 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路封装后处理的去胶方法，其特征在于，所述的去胶方法包括：在化学去胶过程中，增加如下操作：惰性气体鼓泡、溢流和兆声中的一种或多种。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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