[发明专利]一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，包括：将购买的商业金箔进行清洗和高温预退火处理；将清洗和预退火后的金箔放入高温管式炉中，利用常压化学气相沉积的方法进行二硫化钽纳米片的生长，利用低压化学气相沉积的方法进行厘米尺寸均匀的薄层二硫化钽薄膜的生长。生长结束后，温度降至室温，同时关闭氩气和氢气，即可得到金箔上的不同厚度二硫化钽纳米片和薄层二硫化钽薄膜样品。化学气相沉积方法的使用能够实现大面积、高质量、厚度可调二硫化钽样品的批量可控制备；可以实现其微观形貌和电子结构的探索；通过调控生长时间可以制备不同厚度/覆盖度的二硫化钽样品。

主权项

1.一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔衬底进行清洗和高温预退火处理；2)将处理后的金箔衬底置于三温区高温管式炉中，按照气路由上游至下游的顺序，依次放置硫粉、五氯化钽和金箔衬底；3)向高温管式炉的反应腔内通入氩气和氢气，对反应腔进行清洗；4)分别升高硫粉、五氯化钽和金箔衬底的温度至280～300℃、300～350℃和700～750℃，进行二硫化钽的生长；5)二硫化钽生长结束后，温度降至室温，同时关闭氩气和氢气，即可得到金箔衬底上的二硫化钽样品。