[发明专利]自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺有效
| 申请号： | 201810064983.3 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108336136B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张洪涛;范例;张泽森 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/82;H01L21/335 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 潘杰;刘琳 |
| 地址： | 430068 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺，所述晶体管包括衬底，衬底上设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极，纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成，纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触，形成源漏极有源区，纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层，栅极从接触金属层引出。本发明通过设置由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成的纳米碳化硅薄膜结构形成的纳米线或带，作为晶体管有源区，源漏极用Pd作为接触金属，形成肖特基势垒，其中出现隧穿。在室温下，本发明基于自激励单电子自旋电磁晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。 | ||
| 搜索关键词： | 激励 电子 自旋 电磁 晶体管 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种自激励单电子自旋电磁晶体管，包括衬底(1)，所述衬底(1)上设置有纳米碳化硅薄膜结构(2)、源极(3)、漏极(4)、栅极(7)，其特征在于：所述纳米碳化硅薄膜结构(2)由层状纳米碳化硅单晶体薄膜(2‑1)互嵌构成，所述纳米碳化硅薄膜结构(2)的两端分别与源极(3)和漏极(4)接触，形成源漏极有源区，所述纳米碳化硅薄膜结构(2)的上部依次设置有绝缘层(5)、接触金属层(6)，所述栅极(7)从接触金属层(6)引出。
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