[发明专利]固相结晶方法与低温多晶硅TFT基板的制作方法有效
| 申请号： | 201810065170.6 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108281350B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 喻蕾;李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;闻盼盼 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种固相结晶方法与低温多晶硅TFT基板的制作方法。本发明的固相结晶方法包括：提供非晶硅，将非晶硅加热至第一结晶温度后，对非晶硅继续加热，使其在第一时间段内从第一结晶温度逐渐升温至第二结晶温度，将非晶硅在第二结晶温度保温一段时间后，对非晶硅进行降温，使其在第二时间段内从第二结晶温度逐渐降温至第一结晶温度，对非晶硅继续降温，使其降至室温，得到低温多晶硅。该固相结晶方法能够提高多晶硅晶粒的均一性。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法采用上述固相结晶方法对非晶硅进行结晶，能够提高多晶硅晶粒的均一性，改善TFT器件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 方法 低温 多晶 tft 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种固相结晶方法，其特征在于，包括：提供非晶硅，将非晶硅加热至第一结晶温度后，对非晶硅继续加热，使其在第一时间段内从第一结晶温度逐渐升温至第二结晶温度，将非晶硅在第二结晶温度保温一段时间后，对非晶硅进行降温，使其在第二时间段内从第二结晶温度逐渐降温至第一结晶温度，对非晶硅继续降温，使其降至室温，得到低温多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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