[发明专利]晶体硅热氧化工艺、系统及晶体硅太阳能电池热氧化工艺有效
| 申请号： | 201810066451.3 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108417474B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 谭鑫;周公庆;刘爱民 | 申请（专利权）人： | 锦州阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙) 21254 | 代理人： | 杨群 |
| 地址： | 121000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体硅热氧化工艺、系统及晶体硅太阳能电池热氧化工艺，晶体硅热氧化工艺包括以下步骤：将硅片放置于紫外臭氧腔室内；向紫外臭氧腔室内通入携带有水蒸气的二氧化氮与氧气的混合气，紫外臭氧腔室内的氧气在紫外线的促进下转化为臭氧和游离氧；在150‑160℃的温度下，在水蒸气、二氧化氮、臭氧和游离氧的共同促进下，硅片表面生成二氧化硅氧化层。该方法工艺简单、耗时短、成本低、晶体硅钝化效果佳。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 氧化 工艺 系统 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅热氧化工艺，其特征在于，包括以下步骤：将硅片放置于紫外臭氧腔室内；向紫外臭氧腔室内通入携带有水蒸气的二氧化氮与氧气的混合气，紫外臭氧腔室内的氧气在紫外线的促进下转化为臭氧和游离氧；在150‑160℃的温度下，在水蒸气、二氧化氮、臭氧和游离氧的共同促进下，硅片表面生成二氧化硅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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