[发明专利]晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810066705.1 申请日: 2018-01-24
公开(公告)号: CN108695268B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 南宗铉 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法。可以提供晶圆级封装和/或半导体器件单元。所述晶圆级封装可以包括设置在互连结构层上并且彼此横向分隔开的半导体芯片。所述晶圆级封装可以包括附接至所述半导体芯片的加固夹具。所述晶圆级封装可以包括模制层,所述模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。还提供了相关的方法。
搜索关键词: 晶圆级 封装 半导体器件 单元 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种晶圆级封装,该晶圆级封装包括:半导体芯片,所述半导体芯片被并排地设置在互连结构层上;加固夹具,该加固夹具附接至所述半导体芯片;以及模制层,该模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。
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