[发明专利]ISFET阵列的放大和读出电路在审
| 申请号： | 201810067719.5 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108192802A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 杨翎;张雪莲;张强;节俊尧;魏清泉;俞育德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C12M1/00 | 分类号： | C12M1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种ISFET阵列的放大和读出电路，其特征在于包括：阵列式开关电容放大电路，与所述ISFET阵列中ISFET器件数量相同，每一开关电容放大电路输入端配置为连接每一ISFET器件漏端，包括由PMOS构成的第一开关；列选择电路，ISFET阵列中各列对应的开关电容放大电路的输出端连通，再通过列选择电路选择输出信号的列；行选择电路，各列对应的开关电容放大电路的PMOS导通开关的栅极连通，再连接行选择电路选择输出信号的行。本发明设计了可以片内放大的高精度，低功耗超大规模ISFET阵列，结合适当的控制方法和后工艺，可以实现新的实用测序芯片的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 放大电路 开关电容 选择输出信号 列选择电路 行选择电路 放大 读出电路 连通 测序芯片 导通开关 第一开关 低功耗 输出端 输入端 再连接 阵列式 漏端 配置 制作 | ||
【主权项】：
1.一种ISFET阵列的放大和读出电路，其特征在于包括：阵列式开关电容放大电路，与所述ISFET阵列中ISFET器件数量相同，每一开关电容放大电路输入端配置为连接每一ISFET器件漏端，包括由PMOS构成的第一开关；列选择电路，ISFET阵列中各列对应的开关电容放大电路的输出端连通，再通过列选择电路选择输出信号的列；行选择电路，各列对应的开关电容放大电路的PMOS导通开关的栅极连通，再连接行选择电路选择输出信号的行。
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