[发明专利]相变化记忆体及其制造方法有效
| 申请号： | 201810068238.6 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108110139B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲;王博文 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种相变化记忆体及其制造方法。制造相变化记忆体的方法包含以下操作：(a)形成堆叠层结构于基材上，堆叠层结构包含第一加热材料层、第二加热材料层以及第一介电层；(b)形成第一凹口贯穿堆叠层结构；(c)形成第一导电接触结构于第一凹口中；(d)图案化堆叠层结构，使堆叠层结构的剩余部分形成第一图案化加热材料层、第二图案化加热材料层以及第一图案化介电层；(e)形成第二凹口贯穿堆叠层结构的剩余部分，第二凹口将第一图案化加热材料层及第二图案化加热材料层断开，而形成第一多层加热组件以及第二多层加热组件；以及(f)形成相变化组件于第二凹口中。在此亦揭露一种相变化记忆体。在此揭露的相变化记忆体具有更高的写入数据速度及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：形成一堆叠层结构于一基材上，该堆叠层结构包含一第一加热材料层、一第二加热材料层、一第一介电层夹设于该第一加热材料层及该第二加热材料层之间、一第三介电层以及一第四介电层，该第三介电层夹设在该基材与该第一加热材料层之间，该第四介电层位于该第二加热材料层上；形成一第一凹口贯穿该堆叠层结构；形成一第一导电接触结构于该第一凹口中，使该第一导电接触结构接触该第一加热材料层及该第二加热材料层；图案化该堆叠层结构，使该堆叠层结构的一剩余部分形成一第一图案化加热材料层、一第二图案化加热材料层以及一第一图案化介电层夹设于该第一图案化加热材料层与该第二图案化加热材料层之间，其中该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层接触该第一导电接触结构；形成一第二凹口贯穿该堆叠层结构的该剩余部分，该第二凹口将该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层断开，其中该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层的残留部分在该第二凹口的两侧分别形成一第一多层加热组件以及一第二多层加热组件，其中该第一多层加热组件接触该第一导电接触结构；蚀刻该第二凹口内的该第一介电层的一侧壁、该第三介电层的一侧壁以及该第四介电层的一侧壁，使该第一多层加热组件的一边缘凸出该第一介电层的该侧壁、该第三介电层的该侧壁以及该第四介电层的该侧壁；以及形成一相变化组件于该第二凹口中，且该相变化组件接触该第一多层加热组件以及该第二多层加热组件。
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