[发明专利]一种氮化锰薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化锰薄膜的制备方法，其是在反应腔中的衬底上进行至少一次反应循环，包含以下步骤：步骤1，以脉冲的方式向反应腔中通入前驱体Mn(EtCp)2蒸气；步骤2，通入吹洗用气体；步骤3，以脉冲的方式向反应腔中通入NH3气体，同时开启等离子体发生器使其电离产生NH3等离子体，并与吸附于衬底表面的Mn(EtCp)2发生化学反应；步骤4，通入吹洗用气体；氮化锰薄膜厚度依反应循环次数而定。本发明的制备方法工艺简便，制得的氮化锰薄膜中Mn和N的原子比为1.9~2.4，金属含量比例较高，且具有均匀性好、表面平整度高、电阻率低等优点，不需后退火便可在介质表面形成阻挡层薄膜，与集成电路后道互连工艺和CMOS器件制造工艺有很好的兼容性，有很好的应用前景。

主权项

1.一种氮化锰薄膜的制备方法，其特征在于，该方法是在反应腔中的衬底上进行至少一次反应循环，一次反应循环包含以下步骤：步骤1，以脉冲的方式向反应腔中通入前驱体Mn(EtCp)2蒸气，以在衬底上形成均匀的Mn(EtCp)2层；步骤2，通入吹洗用气体，以将反应腔中多余的Mn(EtCp)2蒸气以及气态的反应副产物吹洗干净；步骤3，以脉冲的方式向反应腔中通入NH3气体，同时开启等离子体发生器使其电离产生NH3等离子体，并与吸附于衬底表面的Mn(EtCp)2层发生化学反应；步骤4，通入吹洗用气体，以将反应腔中多余的NH3等离子体以及反应副产物吹洗干净，获得氮化锰薄膜；其中，所述氮化锰薄膜厚度依反应循环次数而定。