[发明专利]一种晶体生长炉温度控制系统在审
| 申请号： | 201810068881.9 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108221045A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋相站;吐尔迪·吾买尔 | 申请（专利权）人： | 新疆工程学院 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/20;C30B15/14 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 韩晓娟 |
| 地址： | 830091 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长炉温度控制系统。该系统包括：三个加热器、温度检测器和主控制器；主控制器将通过温度检测器采集的晶体生长炉内不同高度处的温度值进行记录，并按照晶体生长炉内的空间划分为上下温度区域；将上温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比，计算出上温度区域内的温度偏差值，通过PID算法，获得输出值，根据输出值控制上部加热器的电源功率输出值；同理，获得中部加热器的电源功率输出值和底部加热器的电源功率输出值。本发明通过对晶体生长炉内的温度分区进行独立的PID控制调节三个加热器，调节方便，调节精确度高，调节速度快，受热均匀，保证了晶体生长的可靠温度环境，且提高了晶体生长周期。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长炉 电源功率 温度区域 输出 温度控制系统 加热器 温度检测器 主控制器 晶体生长周期 底部加热器 上部加热器 输出值控制 中部加热器 调节方便 晶体生长 受热均匀 温度分区 温度环境 温度偏差 炉内 采集 记录 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长炉温度控制系统，其特征在于，包括：加热器(1)、温度检测器(2)和主控制器(3)；所述加热器(1)包括：上部加热器(11)、中部加热器(12)和底部加热器(13)；所述上部加热器(11)安装在所述晶体生长炉的炉筒上部电极上，所述中部加热器(12)安装在所述晶体生长炉的炉筒中部电极上，以及所述底部加热器(13)安装在所述晶体生长炉的炉底板电极上；所述上部加热器(11)、所述中部加热器(12)和所述底部加热器(13)均与所述主控制器(3)电连接；所述晶体生长炉的炉盖上设置有电机(5)，所述电机(5)的输出轴上绕设有引线，所述引线的下端穿入所述晶体生长炉内并连接有重力球，所述重力球上设置有所述温度检测器(2)；所述电机(5)和所述温度检测器(2)均与所述主控制器(3)电连接；所述主控制器(3)将通过所述温度检测器(2)采集的所述晶体生长炉内不同高度处的温度值进行记录，并按照所述晶体生长炉内的空间划分为上下温度区域；将上温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比，计算出上温度区域内的温度偏差值，通过PID算法，获得输出值，根据输出值控制所述上部加热器(11)的电源功率输出值；将下温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比，计算出下温度区域内的温度偏差值，通过PID算法，获得输出值，根据输出值控制所述底部加热器(13)的电源功率输出值；将上下温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比，计算出所述晶体生长炉内的温度偏差值，通过PID算法，获得输出值，根据输出值控制所述中部加热器(12)的电源功率输出值。
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