[发明专利]高电压竖直功率部件有效
| 申请号： | 201810069975.8 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108110053B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | S·梅纳德;G·高蒂尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 竖直 功率 部件 | ||
【主权项】：
1.一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在所述硅衬底的下表面上的第二传导类型的下半导体区域；在所述下半导体区域上的下电极；在所述硅衬底的上表面上的所述第二传导类型的上半导体区域；在所述上半导体区域的上表面上的栅极电极和上电极；多孔硅下绝缘环，位于所述下半导体区域和所述硅衬底的外围，并且从所述下电极竖直向上延伸超过所述下半导体区域；以及多孔硅上绝缘环，位于所述上半导体区域和所述硅衬底的外围，并且与所述上半导体区域的上表面对齐从所述上半导体区域的上表面竖直向下延伸超过所述上半导体区域，并且与所述多孔硅下绝缘环的相邻部分限定间隙。
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