[发明专利]接触孔的制造方法在审

专利信息
申请号: 201810071106.9 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108281380A 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 单园园;郭振强 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种接触孔的制造方法,包括步骤:步骤一、提供表面上形成有多条金属线一半导体衬底;步骤二、形成第一介质层,第一介质层将金属线之间的间隔顶部封口;步骤三、形成作为第一介质层刻蚀时的刻蚀停止层的第二介质层;步骤四、将各金属线正上方的第二介质层材料去除;步骤五、形成和第一介质层的材料相同的第三介质层并进行平坦化;步骤六、光刻定义出接触孔的形成区域并进行刻蚀形成接触孔的开口,接触孔的底部区域最大边界由金属线的两侧的第二介质层自对准定义;步骤七、在接触孔的开口中填充金属材料形成接触孔。本发明能将接触孔的底部区域自对准的限定在对应的金属线的顶部,从而防止接触孔和相邻的金属线之间产生短路。
搜索关键词: 接触孔 介质层 金属线 底部区域 自对准 开口 刻蚀形成接触孔 填充金属材料 封口 介质层材料 刻蚀停止层 防止接触 最大边界 平坦化 短路 衬底 光刻 刻蚀 去除 半导体 制造
【主权项】:
1.一种接触孔的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有多条金属线,各所述金属线之间具有间隔;步骤二、形成第一介质层,所述第一介质层的厚度保证将所述金属线之间的间隔顶部封口,所述第一介质层在各所述金属线的表面呈凸起结构;步骤三、形成第二介质层,所述第二介质层的材料和所述第一介质层的材料不同且作为所述第一介质层刻蚀时的刻蚀停止层;步骤四、将各所述金属线正上方的所述第二介质层材料去除,各所述金属线之间的所述第二介质层保留,以保留的所述第二介质层作为接触孔的底部的最大偏移的自对准边界;步骤五、形成第三介质层并进行平坦化,所述第三介质层的材料和所述第一介质层的材料相同;步骤六、光刻定义出所述接触孔的形成区域,对所述接触孔的形成区域的所述第三介质层和所述第一介质层进行刻蚀形成所述接触孔的开口,刻蚀到所述接触孔的底部区域时,由于在所述金属线的两侧具有所述第二介质层作为自对准边界,使得所述接触孔的底部区域完全位于所述金属线的顶部,防止所述接触孔的底部和邻近的所述金属线短接;步骤七、在所述接触孔的开口中填充金属材料形成所述接触孔。
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