[发明专利]接触孔的制造方法在审
申请号: | 201810071106.9 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108281380A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 单园园;郭振强 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种接触孔的制造方法,包括步骤:步骤一、提供表面上形成有多条金属线一半导体衬底;步骤二、形成第一介质层,第一介质层将金属线之间的间隔顶部封口;步骤三、形成作为第一介质层刻蚀时的刻蚀停止层的第二介质层;步骤四、将各金属线正上方的第二介质层材料去除;步骤五、形成和第一介质层的材料相同的第三介质层并进行平坦化;步骤六、光刻定义出接触孔的形成区域并进行刻蚀形成接触孔的开口,接触孔的底部区域最大边界由金属线的两侧的第二介质层自对准定义;步骤七、在接触孔的开口中填充金属材料形成接触孔。本发明能将接触孔的底部区域自对准的限定在对应的金属线的顶部,从而防止接触孔和相邻的金属线之间产生短路。 | ||
搜索关键词: | 接触孔 介质层 金属线 底部区域 自对准 开口 刻蚀形成接触孔 填充金属材料 封口 介质层材料 刻蚀停止层 防止接触 最大边界 平坦化 短路 衬底 光刻 刻蚀 去除 半导体 制造 | ||
【主权项】:
1.一种接触孔的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有多条金属线,各所述金属线之间具有间隔;步骤二、形成第一介质层,所述第一介质层的厚度保证将所述金属线之间的间隔顶部封口,所述第一介质层在各所述金属线的表面呈凸起结构;步骤三、形成第二介质层,所述第二介质层的材料和所述第一介质层的材料不同且作为所述第一介质层刻蚀时的刻蚀停止层;步骤四、将各所述金属线正上方的所述第二介质层材料去除,各所述金属线之间的所述第二介质层保留,以保留的所述第二介质层作为接触孔的底部的最大偏移的自对准边界;步骤五、形成第三介质层并进行平坦化,所述第三介质层的材料和所述第一介质层的材料相同;步骤六、光刻定义出所述接触孔的形成区域,对所述接触孔的形成区域的所述第三介质层和所述第一介质层进行刻蚀形成所述接触孔的开口,刻蚀到所述接触孔的底部区域时,由于在所述金属线的两侧具有所述第二介质层作为自对准边界,使得所述接触孔的底部区域完全位于所述金属线的顶部,防止所述接触孔的底部和邻近的所述金属线短接;步骤七、在所述接触孔的开口中填充金属材料形成所述接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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