[发明专利]液体汽化装置及使用该液体汽化装置的半导体处理系统有效
申请号: | 201810071252.1 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108277477B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 周仁;张宝戈;侯彬;吕欣;张建 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 陈福昌 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种高效半导体成膜用液体汽化器,该液体汽化器通过将特定成膜用液体原料进行汽化,最后通过载气将汽化后的气体通过气路输出到半导体成膜的反应腔中制备薄膜。该液体汽化装置包含一主体及一阻挡器。该主体定义一腔体,该腔体具有用于接收一或多个原料的一输入端及用于排出气体的一输出端。该阻挡器设置在该主体的腔体中,并藉此将该腔体分成一第一腔体及一第二腔体,其中该第一腔体包含该输入端而该第二腔体包含该输出端。该阻挡器具有一或多个孔状通道,藉此该第一腔体与该第二腔体通过所述孔状通道相互连通。 | ||
搜索关键词: | 液体 汽化 装置 使用 半导体 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种液体汽化装置,经配置以自一载体气体供给源接收载体气体及自一液体原料供给原接收液体原料,其特征在于,该液体汽化装置包含:一主体,具有一内壁,该内壁定义一腔体,该腔体具有用于接收一或多个原料的一输入端及用于排出气体的一输出端;及一阻挡器,设置在该主体的腔体中,并藉此将该腔体分成一第一腔体及一第二腔体,其中该第一腔体包含该输入端而该第二腔体包含该输出端,该阻挡器具有一或多个孔状通道,藉此该第一腔体与该第二腔体通过所述孔状通道相互连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的