[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810072168.1 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108269890B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：制作第一键合结构；制作第二键合结构；利用第一键合结构中的第一键合层和第二键合结构中的第二键合层，将第一键合结构和第二键合结构键合，第二键合层中的第一区域与第一键合层中的第二区域键合，第二键合层中的第二区域与第一键合层中的第一区域键合；在第一发光层表面形成第一电极；在第二发光层表面形成第二电极，从而使得LED芯片在工作时，电流流向和散热方向不完全相同，缓解了LED芯片中的热量在LED芯片的衬底累积的现象，提高了第一发光层和第二发光层的发光效率，延长了LED芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 键合结构 键合层 键合 发光层表面 第二区域 第一区域 发光层 制作 第二电极 第一电极 电流流向 发光效率 散热方向 使用寿命 衬底 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：制作第一键合结构，所述第一键合结构包括：第一砷化镓衬底、位于所述第一砷化镓衬底表面第一区域的第一发光层、位于所述第一发光层侧壁的第一阻挡层、位于所述第一发光层背离所述第一砷化镓衬底的第一键合层，所述第一键合层还覆盖所述第一砷化镓衬底表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域并列；制作第二键合结构，所述第二键合结构包括：第二砷化镓衬底、位于所述第二砷化镓衬底表面第一区域的第二发光层、位于所述第二发光层侧壁的第二阻挡层、位于所述第二发光层背离所述第二砷化镓衬底的第二键合层，所述第二键合层还覆盖所述第二砷化镓衬底表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域并列；利用所述第一键合层和所述第二键合层，将所述第一键合结构和所述第二键合结构键合，其中，所述第二键合层中的第一区域与所述第一键合层中的第二区域键合，所述第二键合层中的第二区域与所述第一键合层中的第一区域键合；去除所述第一砷化镓衬底以及位于所述第二发光层表面的第一键合层和第二键合层；在所述第一发光层表面形成第一电极；在所述第二发光层表面形成第二电极。
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