[发明专利]存储元件的位线的制作过程、存储元件及其制作方法

摘要

本申请提供了一种存储元件的位线的制作过程、存储元件及其制作方法。该制作过程包括：提供基底，基底包括半导体衬底以及隔离结构，基底的上表面包含源区的源极表面及绝缘隔离面；在基底的上表面沉积位线接触层及位线导体层；依照位线图案刻蚀去除在位线图案外的部分位线导体层与位线接触层，露出半导体衬底的部分上表面形成为位线导体，刻蚀位线导体层的过程包括主刻蚀步骤及过刻蚀步骤，主刻蚀步骤形成位线接触，在过刻蚀步骤中，位线接触残留物以侧蚀控制的刻蚀气体去除，刻蚀气体包含溴化氢和氧气。该制作过程可以缓解或消除位线接触的侧蚀，避免了位线接触发生较严重的侧蚀而导致的阻值偏高的问题，保证了存储元件具有较快的响应速度等性能。

主权项

1.一种存储元件的位线的制作过程，其特征在于，所述制作过程包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底以及设置在所述半导体衬底中的隔离结构，所述隔离结构用于隔离出所述半导体衬底的多个有源区，所述基底的上表面包含所述有源区的源极表面及所述隔离结构的绝缘隔离面；在所述源极表面以及所述绝缘隔离面上依次沉积位线接触层及位线导体层，其中，所述位线接触层覆盖所述源极表面以及相邻源极表面之间的所述绝缘隔离面；以及依照位线图案依次图案化刻蚀去除在所述位线图案外的部分所述位线导体层与所述位线接触层，以露出所述半导体衬底的部分上表面，其中，去除后的所述位线导体层形成为位线导体，并且刻蚀所述位线导体层的过程包括主刻蚀步骤及过刻蚀步骤，在所述主刻蚀步骤中，去除后的所述位线接触层形成为所述源极表面上的位线接触，在所述过刻蚀步骤中，所述位线接触层在相邻两个所述位线接触间且在所述绝缘隔离面上的位线接触残留物以侧蚀控制的刻蚀气体去除，其中，所述刻蚀气体包含溴化氢和氧气。