[发明专利]一种LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201810073526.0 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108281527A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 童玲 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片的制备方法，所述制备方法通过在对N型外延层的表面进行粗化工艺之前，先对N型外延层进行等离子体预处理，经过所述等离子体预处理后的N型外延层的表面更加干净，而且有利于后续的粗化工艺，能够提高后续粗化工艺的均匀性，可明显提升单颗LED芯片的光提取效率，同时使晶圆级LED芯片的亮度分布更加集中，从而提升LED芯片的良品率，适用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 粗化 制备 等离子体预处理 单颗LED芯片 光提取效率 亮度分布 晶圆级 均匀性 良品率 生产 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底；自下至上依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；在所述P型外延层上形成P电极层；提供基板，将所述基板与所述P电极层相键合；去除所述衬底并暴露出部分N型外延层；对暴露的N型外延层进行等离子体预处理；对所述等离子体预处理后的N型外延层的表面进行粗化工艺；在所述粗化工艺后的N型外延层上形成N电极。
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