[发明专利]通过光阻剥离实现电极层图案化的方法有效
| 申请号： | 201810074903.2 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108269736B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;李雯雯 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，先在基板上连续涂布交联性能不同的下层光阻与上层光阻形成光阻层，然后使用半色调光罩对所述光阻层进行曝光、显影，再去除第二光阻区域内的光阻层而保留第一光阻区域内的光阻层，接着沉积电极层，最后剥离第一光阻区域内的上层光阻与下层光阻，同时去除沉积在第一光阻区域内的上层光阻上的部分电极层，得到图案化的电极层，相比现有的利用单层光阻剥离来实现电极层图案化的方法，能够提高光阻剥离速率，加快实现电极层图案化的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 剥离 实现 电极 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、在基板(1)上至少连续涂布一层下层光阻(21)与一层上层光阻(22)，形成光阻层(2)；所述下层光阻(21)与上层光阻(22)的交联性能不同；步骤S2、使用半色调光罩对所述光阻层(2)进行曝光、显影，形成第一光阻区域(A)、第二光阻区域(B)及无光阻区域(D)；步骤S3、去除所述第二光阻区域(B)内的光阻层(2)，而保留所述第一光阻区域(A)内的光阻层(2)；步骤S4、在所述基板(1)与第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)上沉积电极层(3)；步骤S5、利用剥离液剥离所述第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)与下层光阻(21)，同时去除沉积在所述第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)上的部分电极层(3)，得到图案化的电极层(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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