[发明专利]具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810075436.5 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346688B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 汤益丹;刘新宇;白云;董升旭;杨成樾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法，包括多个第一CSL电流输运层和多个第二CSL电流输运层；第一CSL电流输运层上有选择性P |
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| 搜索关键词： | 具有 csl 输运 sic 沟槽 结势垒肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有CSL输运层结构的SiC沟槽结势垒肖特基二极管，包括：N++‑SiC衬底；N‑‑SiC外延层，形成于所述N++‑SiC衬底正面；所述N+‑SiC衬底背面设有N型欧姆接触；其特征在于：还包括：CSL电流输运层，形成于所述N‑‑SiC外延层上，包括：多个第一CSL电流输运层和多个第二CSL电流输运层，所述第一CSL电流输运层和第二CSL电流输运层相间排列；第一CSL电流输运层上有选择性P++‑SiC区域环，P++‑SiC区域环上是与之对应的凹槽结构，凹槽结构上有肖特基接触电极；第二CSL电流输运层上直接是肖特基接触电极；肖特基接触电极外围设有多个P+‑SiC保护环和一个N+场截止环；肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层；在SiO2钝化层上方设有场板。
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