[发明专利]一种半导体产品用绝缘层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810075853.X | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110085550A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 高文琳;李响;柳清超 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种半导体产品用绝缘层结构，器件衬底(1)、支撑衬底(2)二者均为硅片；薄膜层(3)在器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)上布置；薄膜层(3)为下述几种之一：二氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层以及非晶硅层；器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)二者之一和另一通过至少布置在其中之一上的薄膜层(3)键合在一起共同构成一个整体形成多层SOI结构。本发明还涉及半导体产品用绝缘层结构的制备方法。本发明所形成的特殊绝缘层结构具有多样性，解决了现有SOI器件自发热严重、高温退火引起的SOI翘曲变化严重、射频特性差等问题，其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 绝缘层结构 半导体产品 薄膜层 制备 支撑 氮氧化硅层 二氧化硅层 氮化硅层 多晶硅层 非晶硅层 高温退火 射频特性 整体形成 预期的 自发热 多层 硅片 键合 翘曲 多样性 | ||
【主权项】：
1.一种半导体产品用绝缘层结构，其特征在于：其构成如下：器件衬底(1)、支撑衬底(2)、薄膜层(3)；其中：器件衬底(1)、支撑衬底(2)二者均为硅片；薄膜层(3)在器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)上布置；薄膜层(3)为下述几种之一：二氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层以及非晶硅层；器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)二者之一和另一通过至少布置在其中之一上的薄膜层(3)键合在一起共同构成一个整体形成多层SOI结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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