[发明专利]集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810076683.7 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108573949B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 金永培;朴水贤;安商燻;李义福;姜成进;徐训硕;吴赫祥;李禹镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：下布线结构，包括下金属膜，其中所述下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分；盖层，覆盖所述下金属膜的顶表面；第二绝缘膜，覆盖所述盖层；上布线结构，穿透所述第二绝缘膜和所述盖层，并电连接到所述下金属膜；以及空气间隙，设置在所述下金属膜与所述第二绝缘膜之间，并具有由所述盖层与所述上布线结构之间的距离限定的宽度。
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