[发明专利]具有输入缓冲电路的半导体装置和存储器系统有效
| 申请号： | 201810077402.X | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108932958B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李承镐 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵赫 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种输入缓冲电路，其包括：高电压保护单元，其联接到焊盘并且包括共同联接到输出信号节点的低电压通过单元和高电压通过单元。当落入第一电压范围内的第一电压通过焊盘被施加时，低电压通过单元可以将第一电压传递到输出信号节点。当落入比第一电压范围高的第二电压范围内的第二电压通过焊盘被施加时，高电压通过单元可以将比第二电压低的第三电压传递到输出信号节点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 输入 缓冲 电路 半导体 装置 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种输入缓冲电路，其包括：高电压保护单元，其联接到焊盘并且包括共同联接到输出信号节点的低电压通过单元和高电压通过单元，其中所述低电压通过单元被配置成当落入第一电压范围内的第一电压通过所述焊盘被施加时，将所述第一电压传递到所述输出信号节点，以及其中所述高电压通过单元被配置成当落入比所述第一电压范围高的第二电压范围内的第二电压通过所述焊盘被施加时，将比所述第二电压低的第三电压传递到所述输出信号节点。
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