[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201810077682.4 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108288643A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;卢宽宽;彭俊彪;姚日晖;胡诗犇;魏靖林;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电子器件的技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管。所述栅极，由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。方法：(1)在衬底上沉积铜合金薄膜，作为栅极主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积三氧化二铝薄膜。氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。本发明的氧化物薄膜晶体管栅极具有成本低廉，结合强度高，电阻率低，电学稳定性好，工艺简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物薄膜晶体管 三氧化二铝层 铜合金层 栅极绝缘层 铜合金 衬底 沉积 制备 薄膜 三氧化二铝薄膜 薄膜晶体管 电学稳定性 栅极主体层 电子器件 源漏电极 电阻率 叠设 源层 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜晶体管栅极，其特征在于：由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。
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