[发明专利]一种发光二极管的制作方法有效

专利信息
申请号: 201810079397.6 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108281517B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 陈功;许圣贤;林素慧;彭康伟;洪灵愿;张家宏 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提出一种发光二极管的制作方法,包括工艺步骤:提供一磊晶片,包括衬底及发光外延层,并形成部分发光外延层;在部分发光外延层上形成掩膜层并进行图案化,形成图案化掩膜层;进行蚀刻工艺,使得发光外延层形成图案化凹凸结构;在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒;进行电镀工艺,以金属颗粒作为晶种,沿着金属颗粒沉积生长,形成金属导光柱。
搜索关键词: 一种 发光二极管 制作方法
【主权项】:
1.一种发光二极管的制作方法,包括工艺步骤:(1)提供一磊晶片,包括衬底及发光外延层,并形成部分发光外延层;(2)在部分发光外延层上形成掩膜层并进行图案化,形成图案化掩膜层;(3)进行蚀刻工艺,使得发光外延层形成图案化凹凸结构;(4)在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒;(5)进行电镀工艺,以金属颗粒作为晶种,沿着金属颗粒沉积生长,形成金属导光柱。
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