[发明专利]一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法在审
| 申请号： | 201810079400.4 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108281352A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孔欣 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，包括以下步骤：a、清洗晶圆，旋涂正性光刻胶并进行前烘；b、对晶圆进行曝光、显影、后烘，得到隔离掩膜，使得晶体管区域保留光刻胶遮挡，且需要隔离的区域暴露出晶圆表面；c、采用等离子体对晶圆外延层进行刻蚀，形成一定深度的台面；d、采用等离子体处理晶圆表面，使隔离区域掺入负电荷补偿中心；e、去除光刻胶，完成器件隔离工艺。本发明采用GaN台面隔离技术与F基等离子体注入结合的方式，可有效提升器件隔离效果；该方法与台面隔离工艺一致、与注入隔离工艺类似，不会引入额外的工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 晶圆 等离子体 氮化镓晶体管 晶圆表面 器件隔离 光刻胶 等离子体处理 器件隔离工艺 隔离 晶体管区域 正性光刻胶 隔离工艺 隔离技术 隔离区域 隔离效果 工艺步骤 区域暴露 提升器件 注入隔离 负电荷 外延层 掺入 后烘 刻蚀 去除 显影 旋涂 掩膜 遮挡 应用 清洗 曝光 引入 保留 | ||
【主权项】：
1.一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，包括以下步骤：a、清洗晶圆，旋涂正性光刻胶并进行前烘；b、对晶圆进行曝光、显影、后烘，得到隔离掩膜，使得晶体管区域保留光刻胶遮挡，且需要隔离的区域暴露出晶圆表面；c、采用等离子体对晶圆外延层进行刻蚀，形成一定深度的台面；d、采用等离子体处理晶圆表面，使隔离区域掺入负电荷补偿中心；e、去除光刻胶，完成器件隔离工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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