[发明专利]一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810080742.8 | 申请日： | 2018-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN108233176B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;李特;乔忠良;任永学;曲轶;彭鸿雁 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种电注入GaN垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构及其制备方法，包括底部分布布拉格反射镜(DBR)和顶部DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本发明提出一种带有VCSEL电流注入层外延结构，即在隧道结上方外延生长一层电流注入层，然后利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本发明无需二次外延生长顶部DBR结构，只需一次外延生长即可完成GaN垂直腔面发射激光器完整外延结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。本发明提出的VCSEL电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，提高电流注入多量子阱有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，从而有利于实现VCSEL电注入激光光源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 注入 gan 垂直 发射 激光器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电注入GaN垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构，其特征在于，包括底部分布布拉格反射镜（DBR）、多量子阱有源层、隧道结、电流注入层以及顶部DBR。
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