[发明专利]图案化方法有效
申请号: | 201810082395.2 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN109216168B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 张峰溢;李甫哲;陈界得 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种图案化方法,其包括:先在目标层上形成硬掩模层、下部图案转移层及上部图案转移层。再进行第一SARP制作工艺,将上部图案转移层图案化成上部图案掩模。进行第二SARP制作工艺,将下部图案转移层图案化成下部图案掩模。上部图案掩模及下部图案掩模定义孔图案。在孔图案中填充介电层。介电层及上部图案掩模被回蚀直到下部图案掩模被暴露。下部图案掩模被去除,形成岛状图案。再以岛状图案作为蚀刻硬掩模,将硬掩模层图案化成硬掩模图案。再以硬掩模图案作为蚀刻硬掩模,将目标层图案化成目标图案。 | ||
搜索关键词: | 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图案化方法,其特征在于,包含有:提供一基板,其上具有目标层、硬掩模层,位于该目标层上、下部图案转移层,位于该硬掩模层上,及上部图案转移层,位于该下部图案转移层上;进行第一自对准反向图案化制作工艺,以将该上部图案转移层图案化成该下部图案转移层上的一上部图案掩模;进行第二自对准反向图案化制作工艺,以将该下部图案转移层图案化成一下部图案掩模,其中该上部图案掩模及该下部图案掩模一起定义孔图案的阵列;在该孔图案的阵列填充一有机介电层;回蚀该有机介电层及该上部图案掩模,直到该下部图案掩模被暴露出来;移除该下部图案掩模,留下该硬掩模层上剩余的该有机介电层以形成岛状图案;以该岛状图案作为蚀刻硬掩模,将该硬掩模层图案化为硬掩模图案;及以该硬掩模图案作为蚀刻硬掩模,将该目标层图案化为目标图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造