[发明专利]基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器

摘要

本发明提出了一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器，包括：P+区和N+区分别形成在N型衬底层上下两侧的表层中，硅微结构层形成在N+区的下侧面上；钝化膜设置在硅微结构层表面；增透膜设置在P+区表面；增透膜上设置有P电极孔，P电极通过P电极孔与P+区接触；钝化膜上设置有N电极孔，N电极通过N电极孔与N+区接触；硅微结构层由N+区表面在高浓度硫气氛中被飞秒激光脉冲瞬态熔融而得。本发明的有益技术效果是：提出了一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器；该光电探测器中设置了硅微结构层，硅微结构层对可见光及近红外光的有较高的吸收率，并且可以被很好的钝化，暗电流较低。

主权项

1.一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器，其特征在于：所述1064nm增强型四象限光电探测器包括N型衬底层(1)、P+区(2)、硅微结构层(3)、N+区(4)、钝化膜(5)、增透膜(6)、P电极(7)和N电极(8)；所述P+区(2)形成在N型衬底层(1)上侧面的表层中，所述N+区(4)形成在N型衬底层(1)下侧面的表层中，所述硅微结构层(3)形成在N+区(4)的下侧面上；所述钝化膜(5)设置在硅微结构层(3)表面；所述增透膜(6)设置在P+区(2)表面；所述增透膜(6)上设置有P电极孔，P电极(7)通过P电极孔与P+区(2)接触；所述钝化膜(5)上设置有N电极孔，N电极(8)通过N电极孔与N+区(4)接触；所述硅微结构层(3)由N+区(4)表面在高浓度硫气氛中被飞秒激光脉冲瞬态熔融而得。