[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201810083012.3 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN108155087B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪;中村亮太;坂入宽之 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/788;H01L21/324;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供能够提高沟槽的上部边缘中的栅极绝缘膜的耐压的半导体装置以及其制造方法。半导体装置(1)包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：形成有栅极沟槽的第一导电型的半导体层；栅极绝缘膜，形成于所述栅极沟槽的侧面和底面，所述栅极绝缘膜一体地包含所述侧面上的侧面绝缘膜和所述底面上的底面绝缘膜；以及栅极电极，被埋入到所述栅极沟槽，所述栅极电极选择性地具有在形成于所述栅极沟槽的开口端的上部边缘中重叠于所述半导体层的表面的重叠部，所述侧面绝缘膜以在所述上部边缘中向所述栅极沟槽内部突出的方式包含与该侧面绝缘膜的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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