[发明专利]一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201810083745.7 申请日: 2018-01-29
公开(公告)号: CN108287383B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 黄华 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02F1/1335;G03F7/00
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置,依次通过光刻工艺与纳米压印工艺对二氧化硅膜层进行构图,使二氧化硅膜层形成纳米线栅结构,再通过形成纳米线栅结构的二氧化硅膜层作为掩模板,对金属层进行构图,使金属层形成纳米线栅结构。或依次通过光刻工艺和纳米压印工艺直接对金属层进行构图,使金属层形成纳米线栅结构。由于光刻工艺通过采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行曝光,以实现大面积图像传递,且在光刻过程中不存在采用辊轮进行滚动加压的过程,因此可以使获得的图形不产生形变,以使保留区的尺寸与显示面板的面板区的尺寸对应,使采用上述方法制作的金属线栅偏振片与显示面板的对位精准度提高。
搜索关键词: 一种 金属线 偏振 制作方法 显示 面板 显示装置
【主权项】:
1.一种金属线栅偏振片的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板母板的一侧依次形成金属层以及覆盖所述金属层的二氧化硅膜层;采用光刻工艺对所述二氧化硅膜层进行构图,形成具有保留区与非保留区的二氧化硅膜层的图形;其中,所述保留区对应显示面板的面板区,所述非保留区用于暴露所述金属层;采用纳米压印工艺对所述保留区中的二氧化硅膜层进行构图,使所述保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构;其中,所述纳米线栅结构的间隙用于暴露所述金属层;采用刻蚀工艺对与所述非保留区和所述纳米线栅结构的间隙对应区域的金属层进行刻蚀,使与所述保留区对应区域的金属层形成纳米线栅结构。
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