[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810084055.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108281445A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 林宗德;杨龙康;彭婉婷;何延强;何玉坤;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底部分表面具有栅极，所述栅极一侧的所述基底内具有掺杂区，所述基底表面还具有覆盖所述掺杂区顶部、所述栅极顶部及侧壁的介质层；在所述介质层内形成凹槽，所述凹槽露出所述掺杂区顶部；在所述介质层内形成通孔，所述通孔露出所述栅极部分顶部；形成填充满所述凹槽的第一导电掺杂层，所述第一导电掺杂层与所述掺杂区形成欧姆接触；形成填充满所述通孔的第二导电掺杂层，所述第二导电掺杂层与所述栅极形成欧姆接触。本发明能够降低所述掺杂区顶部表面的接触电阻，并且能够降低所述栅极顶部表面的接触电阻，有助于减少热损耗，改善半导体结构的性能，提高半导体结构的传输速度。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 半导体结构 导电掺杂层 介质层 通孔 顶部表面 接触电阻 欧姆接触 基底 基底表面 栅极形成 热损耗 侧壁 传输 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底部分表面具有栅极，所述栅极一侧的所述基底内具有掺杂区，所述基底表面还具有覆盖所述掺杂区顶部、所述栅极顶部及侧壁的介质层；在所述介质层内形成凹槽，所述凹槽露出所述掺杂区顶部；在所述介质层内形成通孔，所述通孔露出所述栅极部分顶部；形成填充满所述凹槽的第一导电掺杂层，所述第一导电掺杂层与所述掺杂区形成欧姆接触；形成填充满所述通孔的第二导电掺杂层，所述第二导电掺杂层与所述栅极形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
