[发明专利]一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品

摘要

本发明涉及一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品，制备过程包括SiO2/Si衬底清洗、旋涂WO3无水乙醇分散液、衬底烘干处理、样品放置和二硫化钨薄膜生长，该方法通过旋涂WO3无水乙醇分散液使WO3前驱体均匀分散于衬底上，并在石英管生长腔室内放置单端封闭的小口径石英管，有效地控制S粉末和WO3前驱体参与成核和薄膜生长过程的用量，制得的二硫化钨薄膜面积大，呈单层，且尺寸大，该方法还具有快速，可重复的优点，对大面积单层二硫化钨薄膜的制备具有重要意义。

主权项

1.一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)SiO2/Si衬底清洗：将SiO2/Si衬底清洗去除衬底表面污物，吹干备用；(2)旋涂WO3无水乙醇分散液：将WO3粉末加入无水乙醇中，分散均匀，制得WO3无水乙醇分散液，然后将WO3无水乙醇分散液均匀旋涂在清洗后的SiO2/Si衬底上；(3)衬底烘干处理：将旋涂了WO3无水乙醇分散液的SiO2/Si衬底放置在加热台上，使无水乙醇蒸发完全，获得WO3粉末均匀分散的衬底；(4)样品放置：将硫粉放置在单端封闭的石英管的密封端，将步骤(3)所得WO3粉末均匀分散的衬底放置于石英管未封闭端，并在所述WO3粉末均匀分散的衬底上方覆盖一片同尺寸且清洗过的SiO2/Si衬底，然后将石英管放入管式炉反应腔体内；(5)二硫化钨薄膜生长：密封管式炉，抽真空，打开尾气阀，通入氩气，升温后保温至二硫化钨薄膜生长完成，在氩气气氛下自然冷却至室温，取出样品。