[发明专利]全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法，其中该电池包括单晶硅片、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、减反射膜、第一背场、第二背场、发射极和正负电极；其中，第一本征非晶硅层设置在单晶硅片的正面，第二本征非晶硅层设置在单晶硅片的背面，减反射膜设置在第一本征非晶硅层上，第一背场设置在第二本征层之上，发射极设置在第二本征层和第二背场之间，发射极/第二背场和第一背场之间绝缘设置，电极设置在第一背场和第二背场上。本发明提供的全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法，从本质上避免了单晶硅片正面的栅线对入射光线的遮挡，可实现4.5％以上的电流增益，有效提升了异质结太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种全背接触式异质结太阳能电池，其特征在于，包括：单晶硅片；设置在所述单晶硅片的正面的第一本征非晶硅层；设置在所述单晶硅片的背面的第二本征非晶硅层；设置在所述第一本征非晶硅层上的减反射膜层；设置在所述第二本征非晶硅层上的发射极和第一背场，所述发射极和所述第一背场之间绝缘设置；设置在所述发射极上的第二背场，所述第二背场与所述第一背场之间绝缘设置；设置在所述第一背场和所述第二背场上的电极。